Fabricación de nuevas películas delgadas de sulfuro de zinc, hidróxido de zinc y óxido de zinc y evaluación de sus propiedades estructurales y de fotoluminiscencia

Abstract

Tesis de maestría en ciencias. Las películas delgadas de compuestos inorgánicos semiconductores han tomado un papel muy importante para el desarrollo de la tecnología que la sociedad moderna demanda, principalmente en el campo de los dispositivos optoelectrónicos. Durante los últimos años se ha generado un especial interés en el desarrollo de nuevos métodos sistematizados, sencillos y económicos, para la síntesis de películas delgadas de calcogenuros metálicos. Durante la realización de este trabajo se logró desarrollar un nuevo método de depósito por baño químico para la síntesis de películas delgadas de sulfuro de zinc, hidróxido de zinc y óxido de zinc. La temperatura, el tiempo de reacción, el tipo de fuente de iones sulfuro y el tipo de fuente de iones zinc(II), así como el pH, fueron los factores controlados para el desarrollo de estas películas. La síntesis de las películas delgadas de sulfuro de zinc de mejor calidad se llevó a cabo controlando la velocidad de depósito mediante la liberación lenta de iones sulfuro a partir de tiourea en un medio alcalino (pH alrededor de 13) y por la liberación de los iones zinc(II) a partir del complejo [Zn(en)3]S04, cuya estabilidad definió la concentración de iones zinc(II) libres durante el transcurso de la reacción. Cuando se llevó a cabo la reacción anterior empleando el complejo [Zn(trien)](CI04)2 en lugar del complejo [Zn(en)3]S04, se obtuvieron películas con menor adherencia a los substratos y menos homogéneas. Cuando la reacción se desarrolló utilizando el complejo [Zn(en)3]S04 como fuente de iones zinc(II) y Na2S como fuente de iones sulfuro en lugar de tiourea, se obtuvieron películas menos homogéneas, con menor adherencia a los substratos y más delgadas.