Síntesis y caracterización de películas nanoestructuradas de Seleniuro de Cadmio

Abstract

Tesis de maestría en nanotecnología. En los últimos años se ha despertado un interés en el grupo de semiconductores II-VI debido a la aplicación en dispositivos optoelectrónicas. CdSe es un semiconductor de banda directa que ha sido utilizado en la fabricación de celdas solares, sensores, fotodetectores y transistores por su alta razón de recombinación, fotosensibilidad, alto coeficiente de absorción y un ancho de banda prohibido correspondiente a un amplio espectro de longitudes de onda [1]. Películas de Seleniuro de Cadmio (CdSe) fueron preparadas, se utilizó glicina como agente acomplejante y buffer de borato como agente controlador de pH. Se estudió el depósito de las películas a diferentes condiciones de reacción utilizando un diseño experimental ortogonal Taguchi L9 variando la temperatura, el tiempo de depósito, la concentración de acomplejarte y agente controlador de pH. Reportes previos [2] han mostrado la dependencia que tiene el ancho de banda Prohibida con el tamaño de partícula, y este a su vez de la temperatura de depósito. Las propiedades _ópticas de las películas depositadas a diferentes condiciones fueron estudiadas por espectroscopia de absorción, parámetros como el ancho de banda prohibida fueron calculados a partir del espectro _óptico de absorción, este fue más alto que el valor reportado para la fase en bulto. Se determinó la composición elemental de las películas depositadas por espectroscopia de fotoelectrones emitidos por rayos X (XPS). Además se hicieron caracterizaciones de XRD y de fotoluminiscencia.