Diseño, fabricación y caracterización de un TFT semitransparente con ZnO como capa activa y Al2O3 como dieléctrico de compuerta.

Abstract

Este proyecto se basa en el diseño y la fabricación de un transistor de película delgada (TFT) semitransparente. La estructura del transistor es contactos superiores con compuerta inferior (Botton-gate top-contact). El sustrato y el contacto de compuerta utilizados son óxido de estaño contaminado con flúor (FTO) y vidrio respectivamente. La síntesis de la película de óxido de aluminio (Al2O3) que tiene función de dieléctrico de compuerta se realizó por la técnica de baño químico (CBD). La síntesis de la capa activa de óxido de zinc (ZnO) se realizó empleando la técnica de sol-gel. Los contactos superiores de oro (Au), se obtuvieron por la técnica de sputtering. Se empleó el equipo DENTON VACUUM V, todos los parámetros de síntesis se mantuvieron constantes y se empleó una mascarilla con diferentes patrones en su geometría que permitió obtener transistores con diferentes anchos de canal. La simulación de los dispositivos se realizó con el software COMSOL MULTIPHYSICS. Las películas y los dispositivos que arrojaron mejores características fueron seleccionados para su fabricación. Las mediciones eléctricas de los dispositivos se realizaron con el equipo marca Keithley modelo 4200A-SCS. Las curvas Id e Ig v/s Vgs e Id v/s Vds de los dispositivos fabricados son coherentes con los resultados de las mediciones eléctricas de un TFT.