Fabricación de transistores FET a base de una película delgada de óxido de Zinc

Abstract

El objetivo principal de este trabajo es el estudio de películas de ZnO depositadas por la técnica de r.f. sputtering para el desarrollo y caracterización de Transistores de Efecto de Campo (FET). Estructura de la tesis: En el capítulo uno se realiza una revisión del desarrollo de dispositivos electrónicos y la diversidad de semiconductores elementales y compuestos utilizados y las propiedades del óxido de zinc. En el segundo capítulo se estudian los Procesos de fabricación y de caracterización de Películas más importantes que existen y sobre todo que se pueden o en un futuro cercano se podrían implementar en la Universidad de Sonora, además se estudian las propiedades del ZnO para ser aplicado como semiconductor de canal en la fabricación del FET. En el tercer capítulo se realiza una revisión de los conceptos más importantes de transistores FET, su clasificación y principales características. Además se presenta el proceso de fabricación usado en el desarrollo del FET a base de ZnO que se realizó en este trabajo. En el cuarto capítulo se presentan los resultados de las películas de ZnO fabricadas por el método de sputtering y los resultados de los transistores fabricados en este trabajo, así como un análisis de los mismos. En la primera parte se muestran los resultados de las caracterizaciones estructural, morfológico-superficial, y óptica del material fundamental investigado (películas delgadas de ZnO). En la segunda parte se presenta la caracterización eléctrica del mismo material, integrado como un material activo en un dispositivo transistor de películas delgadas (TFT). En el Quinto capítulo se presentan las conclusiones y las perspectivas futuras.