Diseño y construcción de un reactor ALD para crecimiento de ingan nanoestructurado

Abstract

Este proyecto se enfoca en el desarrollo, construcción y puesta en marcha de un reactor de deposición de capas atómicas para el crecimiento de películas ultra delgadas basadas en InGan, donde se utilizan componentes específicos para el sistema así como se crea una unidad de control propia para las características del mismo. Para lograr hacer estos depósitos y lograr crecer las películas ultra delgadas se necesita contener los precursores y reactivos así como el gas de purga, estos contenedores deben estar en conjunto con válvulas de regulación de flujos, válvulas para los disparos de los mismos, tubería a la cámara de reacción donde se depositan en el sustrato el cual es la base de la estructura a crecer estando este sistema cerrado en línea con un instrumento de medición ya que es importante el vacío que será el medio de flujo del sistema. Se elaboraron los diagramas base para elaborar el reactor ya sean electro neumáticos o electrónicos estos últimos empleados en el diseño de la unidad de control la cual contiene los controladores térmicos y la interfaz del control de válvulas. Se ensamblaron los componentes y partes del sistema ALD y haciendo las pruebas correspondientes se perfecciono la corrida del proceso para este reactor.