Control de la nitruración en la superficie de películas de GaN para su aplicación en transistores de efecto de campo

Abstract

Los nitruros del grupo III (GaN-InN-AlN) son materiales que han demostrado una amplia versatilidad en el área de la optoelectrónica. Estos semiconductores han sido intensamente estudiados en los años recientes debido a su gran potencial para emisores de luz de estado sólido, sistemas fotovoltaicos y electrónica de alta potencia. En el presente trabajo de tesis se presentan los resultados de la caracterización de la superficie, propiedades estructurales y ópticas de depósitos de nitruros de galio para su aplicación en transistores de efecto de campo. Se presenta a detalle el método de síntesis de GaN sobre substratos de silicio usando la técnica de depósito por vapor químico (CVD, por sus siglas en ingles). Se analiza el impacto de la dosificación del precursor NH4Cl en la formación de la superficie del nitruro y sus principales propiedades. Se presenta el estudio de evolución de varios depósitos y se selecciona el mejor GaN según los resultados de caracterización. Se revisan los principios de los métodos de caracterización utilizados para este material y se analizan los principales resultados.