Efectos de la substitución de C por Si en las propiedades de transporte electrónico en el TbNiC2

Abstract

En este trabajo se estudia, la resistencia eléctrica y la termopotencia, en un rango de temperatura de 77 a 300 K, de los compuestos TbNiC2-xSix en el intervalo 0 menor igual x menor igual 0.30, compuestos que cristalizan en estructura ortorrómbica del tipo CeNiC2. Las muestras fueron preparadas aleando las cantidades estequiométricas de los materiales en un horno de arco. Las medidas de resistencia eléctrica fueron hechas utilizando la técnica de cuatro puntas, dichas curvas muestran la formación de una onda de densidad de carga (ODC), como un aumento progresivo de la resistencia eléctrica conforme disminuye la temperatura, ésta característica va disminuyendo conforme aumenta la concentración de Si, cabe mencionar que no se ha reportado la desaparición de la ODC del compuestoTbNiC2-xSix. En lo que se refiere a las medidas de termopotencia estas no muestran una clara señal de una ODC, siendo su comportamiento cada vez más parecido al de un metal conforme aumenta el valor de x.