Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/20.500.12984/7538
Título : Síntesis y caracterización de ZnO usando la técnica CVD para el desarrollo de transistores
Autor : GALLARDO CUBEDO, JOSE ANTONIO
VERA MARQUINA, ALICIA; 123037||RAMOS CARRAZCO, ANTONIO; 225375
Fecha de publicación : nov-2018
Editorial : GALLARDO CUBEDO, JOSE ANTONIO
Resumen : En este proyecto de investigación, se propone el crecimiento del semiconductor ZnO, utilizando la técnica de depósito de vapor químico (CVD, por sus siglas en inglés), para el desarrollo de transistores de efecto de campo, así mismo, se presenta la fabricación y puesta en marcha de un reactor CVD, diseñado y ensamblado en el centro de investigación nanoFAB de la Universidad de Sonora.
Descripción : Tesis de maestría en ciencias en electrónica
URI : http://hdl.handle.net/20.500.12984/7538
ISBN : 1900755
Aparece en las colecciones: Maestría

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