Estudio de termoluminiscencia ópticamente estimulada con radiación UV en películas de SRO fabricadas por el método LPCVD para el desarrollo de dosímetros

Abstract

El dióxido de silicio rico en silicio es un material que ha generado interés en la comunidad científica debido a sus particulares características eléctricas y ópticas, ha sido utilizado para desarrollar diversos dispositivos y actualmente se estudian los procesos de termoluminiscencia en este material. En esta tesis se propone un modelo para explicar la termoluminiscencia en el SRO previamente expuesta a radiación ultravioleta (UV) y relacionar los parámetros importantes de las diferentes muestras analizadas para señalar las condiciones óptimas en que este material podría utilizarse en potenciales aplicaciones en el campo de la dosimetría. Ya que el material es capaz de almacenar energía en forma de trampas o niveles metaestables dentro de la banda prohibida, puede ser utilizado convenientemente en el desarrollo de dosímetros de radiación. Se han hecho sensores de UV en silicio que extienden el rango de respuesta del silicio hasta los 200 nm, utilizando SRO y técnicas convencionales de fabricación CMOS, por lo que este material ya ha sido estudiado y es conocido que responde a longitudes de onda del UV. Un objetivo de este trabajo es dar pie al desarrollo de dosímetros de radiación UV, ya que el SRO tiene una buena respuesta en esta zona del espectro electromagnético y es capaz de almacenar una cantidad de energía proporcional a la energía de la irradiación. Además, los resultados que se han obtenido con radiación de partículas β indican que el SRO también almacena o promueve el atrapamiento de cargas en niveles dentro de la banda prohibida por lo que al calentarse se obtiene una señal de termoluminiscencia (TL) proporcional a la irradiación previa. Es importante retomar el concepto de dosímetro como un dispositivo que mide dosis de radiación, esto es, mide la energía por unidad de masa recibida de radiación.